Low

VISHAY  SI4110DY-T1-GE3  MOSFET, N CH, 80V, 17.3A, SOIC-8

VISHAY SI4110DY-T1-GE3
Technical Data Sheet (96.03KB) EN Se alle tekniske dokumenter

Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.

Produktinformasjon

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
17.3A
Drain Source Voltage Vds:
80V
On Resistance Rds(on):
0.0108ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
2V
Power Dissipation Pd:
7.8W
Transistor Case Style:
SOIC
No. of Pins:
8Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
Automotive Qualification Standard:
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
To Be Advised

Finn lignende produkter  grupperte etter felles attributter

Lovgivning og miljø

Fuktsensitivitetsnivå:
MSL 1 - Unlimited
Opprinnelsesland:
China

Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt

Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:
Ja
Tariffnr.:
85412900
Vekt (kg):
0

Alternativer

MOSFET Transistor, N Channel, 6.7 A, 80 V, 0.0135 ohm, 10 V, 2 V

VISHAY

Cut Tape
2 376 På lager

Pris for: Per stykk (leveres på Cut Tape)

1+ kr 14,40 25+ kr 12,05 100+ kr 9,90 250+ kr 9,24 mer …

Kjøp