Skriv ut side
FZ2000R33HE4BOSA1
IGBT Module, Single Switch, 2 kA, 2.45 V, 150 °C, Module
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerFZ2000R33HE4BOSA1
Varenummer3324632
ProduktsortimentIHM-B Series
Også kjent somFZ2000R33HE4, SP003062218
Teknisk datablad
Tilgjengelig for bestilling
Produsentens standard leveringstid: 52 uke(r)
Kontakt meg når varen er tilbake på lager
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 31 156,000 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 31 156,00 (eks. MVA)
linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerFZ2000R33HE4BOSA1
Varenummer3324632
ProduktsortimentIHM-B Series
Også kjent somFZ2000R33HE4, SP003062218
Teknisk datablad
IGBT ConfigurationSingle Switch
Continuous Collector Current2kA
DC Collector Current2kA
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.2V
Collector Emitter Saturation Voltage2.45V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationTab
Collector Emitter Voltage Max3.3kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo3.3kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeIHM-B Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversikt
FZ2000R33HE4BOSA1 is a IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode. Potential applications includes motor drives, traction drives, UPS systems, medium-voltage converters, high-power converters, active frontend (energy recovery). Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068.
- AlSiC base plate for increased thermal cycling capability
- High power density, isolated base plate
- High DC stability, high short-circuit capability
- Low switching losses, unbeatable robustness
- Stray inductance module is 6nH (typ)
- Module lead resistance, terminals - chip is 0.08mohm (TC = 25 °C, per switch)
- Collector-emitter voltage is 3300V (Tvj = -40°C)
- Repetitive peak collector current is 4000A (tp limited by Tvj op)
- Gate threshold voltage is 5.80V (typ, IC = 94mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C)
- Temperature under switching conditions range from -40 to 150°C
Tekniske spesifikasjoner
IGBT Configuration
Single Switch
DC Collector Current
2kA
Collector Emitter Saturation Voltage
2.45V
Power Dissipation
-
Junction Temperature Tj Max
150°C
IGBT Termination
Tab
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
3.3kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Continuous Collector Current
2kA
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2.2V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
3.3kV
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
IHM-B Series
Teknisk dokumentasjon (1)
Tilknyttede produkter
2 produkter funnet
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Germany
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Germany
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:3A228.c
EU ECCN:3A228.c
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):1.151
Produktsporbarhet