Skriv ut side
MT53E256M32D1KS-046 AUT:L
DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32bit, 2.133 GHz, VFBGA, 200 Pins
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
579 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 548,930 |
| 5+ | kr 528,130 |
| 10+ | kr 507,220 |
| 25+ | kr 490,690 |
| 50+ | kr 475,090 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 548,93 (eks. MVA)
linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Produktinformasjon
ProdusentMICRON
Produsentens varenummerMT53E256M32D1KS-046 AUT:L
Varenummer4263256
Teknisk datablad
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density8Gbit
Memory Configuration256M x 32bit
Clock Frequency Max2.133GHz
IC Case / PackageVFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max125°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produktoversikt
MT53E256M32D1KS-046 AUT:L is an automotive LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM. The 8Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 1 channel ×16 I/O, having 8-banks.
- Frequency range: 2133–10MHz (data rate range per pin: 4266–20Mb/s)
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), programmable and on-the-fly burst lengths (BL =16/32)
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate, partial-array self refresh (PASR)
- Selectable output drive strength (DS), clock-stop capability, single-ended CK and DQS support
- 256 Meg x 32 (2 channels x 16 I/O) array configuration
- 200-ball VFBGA package, AEC-Q100 qualified
- Operating temperature range from -40°C to +125°C
Tekniske spesifikasjoner
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Configuration
256M x 32bit
IC Case / Package
VFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Memory Density
8Gbit
Clock Frequency Max
2.133GHz
No. of Pins
200Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
125°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Teknisk dokumentasjon (2)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Taiwan
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Taiwan
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000001