Skriv ut side
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B
DRAM, LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
775 På Lager
2 720 Du kan reservere varen nå
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 411,870 |
| 5+ | kr 396,590 |
| 10+ | kr 381,190 |
| 25+ | kr 369,090 |
| 50+ | kr 359,920 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 411,87 (eks. MVA)
linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Produktinformasjon
ProdusentMICRON
Produsentens varenummerMT53E512M32D1ZW-046 WT:B
Varenummer3954472
Teknisk datablad
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density16Gbit
Memory Configuration512M x 32bit
Clock Frequency Max2.133GHz
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-25°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produktoversikt
MT53E512M32D1 is a 16Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 2 channels or 1 channel ×16 I/O, each channel having 8-banks.
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), programmable VSS (ODT) termination
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate, partial-array self refresh (PASR)
- Selectable output drive strength (DS), clock-stop capability, single-ended CK and DQS support
- 1.10V VDD2 / 0.60V VDDQ or 1.10V VDDQ operating voltage
- 512 Meg x 32 configuration, LPDDR4, 1 die addressing
- 200-ball TFBGA (Ø0.40 SMD) package, 468ps cycle time
- Operating temperature rating range from -25°C to +85°C
Tekniske spesifikasjoner
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Configuration
512M x 32bit
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Operating Temperature Min
-25°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Memory Density
16Gbit
Clock Frequency Max
2.133GHz
No. of Pins
200Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Teknisk dokumentasjon (1)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Taiwan
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Taiwan
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.002145