Skriv ut side
HGTG5N120BND
IGBT, 21 A, 2.7 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
Produseres ikke lenger
Produktinformasjon
ProdusentONSEMI
Produsentens varenummerHGTG5N120BND
Varenummer1505138
Teknisk datablad
Continuous Collector Current21A
Collector Emitter Saturation Voltage2.7V
Power Dissipation167W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Tekniske spesifikasjoner
Continuous Collector Current
21A
Power Dissipation
167W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.7V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Teknisk dokumentasjon (2)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Y-Ex
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.00001