Skriv ut side
HGTD1N120BNS9A
IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pins
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
Tilgjengelig for bestilling
Produsentens standard leveringstid: 10 uke(r)
Kontakt meg når varen er tilbake på lager
| Antall | |
|---|---|
| 2500+ | kr 6,990 |
| 7500+ | kr 6,580 |
Pris for:Each (Supplied on Full Reel)
Minst: 2500
Flere: 2500
kr 17 475,00 (eks. MVA)
linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Produktinformasjon
ProdusentONSEMI
Produsentens varenummerHGTD1N120BNS9A
Varenummer4338955
Teknisk datablad
Continuous Collector Current5.3A
Collector Emitter Saturation Voltage2.5V
Power Dissipation60W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-252AA
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tekniske spesifikasjoner
Continuous Collector Current
5.3A
Power Dissipation
60W
Transistor Case Style
TO-252AA
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentasjon (3)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Y-Ex
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.00026
Produktsporbarhet