Skriv ut side
HGTP7N60A4
IGBT, 34 A, 2.7 V, 125 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pins
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
Produseres ikke lenger
Produktinformasjon
ProdusentONSEMI
Produsentens varenummerHGTP7N60A4
Varenummer1095121
Teknisk datablad
Continuous Collector Current34A
Collector Emitter Saturation Voltage2.7V
Power Dissipation125W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-220AB
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Produktoversikt
The HGTP7N60A4 is a SMPS IGBT combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor. It is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for fast switching applications, such as UPS and welder.
- 1.9V @ IC = 7A Low saturation voltage
- 75ns Fall time @ TJ = 125°C
- 125W Total power dissipation @ TC = 25°C
Applikasjoner
Power Management, Maintenance & Repair
Tekniske spesifikasjoner
Continuous Collector Current
34A
Power Dissipation
125W
Transistor Case Style
TO-220AB
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.7V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Teknisk dokumentasjon (3)
Tilknyttede produkter
2 produkter funnet
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:South Korea
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:South Korea
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.002033
Produktsporbarhet