Skriv ut side
NXH50M65L4C2SG
IGBT Module, 50 A, 1.6 V, 150 °C, DIP
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
6 På Lager
Trenger du mer?
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 850,00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
Tilgjengelig til lageret er tomt
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 744,250 |
| 5+ | kr 729,380 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 744,25 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentONSEMI
Produsentens varenummerNXH50M65L4C2SG
Varenummer3872101
Teknisk datablad
IGBT Configuration-
DC Collector Current50A
Continuous Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.6V
Collector Emitter Saturation Voltage1.6V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Transistor Case StyleDIP
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
Collector Emitter Voltage Max650V
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Tekniske spesifikasjoner
IGBT Configuration
-
Continuous Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.6V
Power Dissipation
-
Junction Temperature Tj Max
150°C
IGBT Termination
Solder
Collector Emitter Voltage Max
650V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
DC Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.6V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
DIP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
IGBT Technology
-
Product Range
-
Teknisk dokumentasjon (3)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.0001