Skriv ut side
TDB6HK180N16RRB11BPSA1
IGBT Module, Half Bridge, 140 A, 1.75 V, 515 W, 175 °C, Module
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerTDB6HK180N16RRB11BPSA1
Varenummer3775916
ProduktsortimentEconoBRIDGE
Også kjent somSP005422422, TDB6HK180N16RR_B11
Teknisk datablad
10 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 1 155,000 |
| 5+ | kr 1 060,000 |
| 10+ | kr 964,970 |
| 50+ | kr 945,670 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 1 155,00 (eks. MVA)
linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerTDB6HK180N16RRB11BPSA1
Varenummer3775916
ProduktsortimentEconoBRIDGE
Også kjent somSP005422422, TDB6HK180N16RR_B11
Teknisk datablad
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current140A
DC Collector Current140A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Power Dissipation515W
Power Dissipation Pd515W
Junction Temperature Tj Max175°C
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product RangeEconoBRIDGE
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniske spesifikasjoner
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
140A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Power Dissipation Pd
515W
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Continuous Collector Current
140A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.75V
Power Dissipation
515W
Junction Temperature Tj Max
175°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
IGBT Technology
-
Product Range
EconoBRIDGE
Teknisk dokumentasjon (1)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.002
Produktsporbarhet