Skriv ut side
IXFN180N25T
MOSFET Transistor, N Channel, 168 A, 250 V, 0.0129 ohm, 10 V, 5 V, SOT-227B
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentIXYS SEMICONDUCTOR
Produsentens varenummerIXFN180N25T
Varenummer3438386
ProduktsortimentGigaMOS
Teknisk datablad
Føres ikke lenger
Produktinformasjon
ProdusentIXYS SEMICONDUCTOR
Produsentens varenummerIXFN180N25T
Varenummer3438386
ProduktsortimentGigaMOS
Teknisk datablad
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id168A
Drain Source Voltage Vds250V
Drain Source On State Resistance0.0129ohm
On Resistance Rds(on)0.0129ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation900W
Power Dissipation Pd900W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeGigaMOS
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Tekniske spesifikasjoner
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
168A
Drain Source On State Resistance
0.0129ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
900W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
250V
On Resistance Rds(on)
0.0129ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
900W
Product Range
GigaMOS
Teknisk dokumentasjon (2)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Philippines
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Philippines
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.004
Produktsporbarhet