Skriv ut side
S29GL01GT10TFI010
Flash Memory, MirrorBit Eclipse Architecture, Parallel NOR, 1 Gbit, 128M x 8bit, CFI, Parallel
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerS29GL01GT10TFI010
Varenummer2768056
Produktsortiment3V Parallel NOR Flash Memories
Også kjent somSP005664115, S29GL01GT10TFI010
Teknisk datablad
1 595 På Lager
Trenger du mer?
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 850,00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 137,490 |
| 10+ | kr 129,560 |
| 25+ | kr 127,260 |
| 50+ | kr 119,560 |
| 100+ | kr 119,100 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 137,49 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerS29GL01GT10TFI010
Varenummer2768056
Produktsortiment3V Parallel NOR Flash Memories
Også kjent somSP005664115, S29GL01GT10TFI010
Teknisk datablad
Flash Memory TypeParallel NOR
Memory Density1Gbit
Memory Configuration128M x 8bit
InterfacesCFI, Parallel
IC Case / PackageTSOP
No. of Pins56Pins
Clock Frequency Max-
Access Time100ns
Supply Voltage Min2.7V
Supply Voltage Max3.6V
Supply Voltage Nom-
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range3V Parallel NOR Flash Memories
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversikt
S29GL01GT10TFI010 is a 1Gb (128MB), parallel 3.0V, GL-T MIRRORBIT™ flash memory. This device offers a fast page access time as fast as 15ns, with a corresponding random access time as fast as 100ns. It features a write buffer that allows a maximum of 256 words/512 bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms. It makes this device ideal for today’s embedded applications that require higher density, better performance, and lower power consumption.
- 100ns random access time speed, fabricated on 45nm process technology
- VIO=VCC=2.7V to 3.6V, highest address sector protected CFI Version 1.5
- Single supply (VCC) for read / program / erase (2.7V to 3.6V)
- Versatile I/O feature - wide I/O voltage range (VIO) 1.65V to VCC
- ×8/×16 data bus, asynchronous 32-byte page read
- Automatic error checking and correction (ECC) internal hardware ECC with single bit error correction
- Suspend and resume commands for program and erase operations
- Status register, data polling, and ready/busy pin methods to determine device status
- 100,000 program/erase cycles, 20-year data retention
- TSOP package, industrial temperature range from -40°C to +85°C
Tekniske spesifikasjoner
Flash Memory Type
Parallel NOR
Memory Configuration
128M x 8bit
IC Case / Package
TSOP
Clock Frequency Max
-
Supply Voltage Min
2.7V
Supply Voltage Nom
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
3V Parallel NOR Flash Memories
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Memory Density
1Gbit
Interfaces
CFI, Parallel
No. of Pins
56Pins
Access Time
100ns
Supply Voltage Max
3.6V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Teknisk dokumentasjon (1)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Thailand
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Thailand
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85423269
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.003714
Produktsporbarhet