Skriv ut side
DMG2302UK-7
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 2.8 A, 0.09 ohm, SOT-23, Surface Mount
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
4 850 På Lager
15 000 Du kan reservere varen nå
1–3 virkedagers levering
Bestilling før 17:00 standard forsendelse
| Antall | |
|---|---|
| 500+ | kr 1,010 |
| 1500+ | kr 0,798 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 500
Flere: 5
kr 545,00 (eks. MVA)
En kr 40,00 re-reeling-kostnad vil påløpe for dette produktet
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentDIODES INC.
Produsentens varenummerDMG2302UK-7
Varenummer3127315RL
Teknisk datablad
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.8A
On Resistance Rds(on)0.061ohm
Drain Source On State Resistance0.09ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Power Dissipation Pd660mW
Power Dissipation660mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktoversikt
DMG2302UK-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include backlighting, power management functions, DC-DC converters, and motor control.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, ESD protected gate
- Drain-source voltage is 20V at TA=+25°C
- Gate-source voltage is ±12V at TA=+25°C
- Continuous drain current is 2.8A at TA=+25°C, steady state, VGS=4.5V
- Pulsed drain current (10µS pulse, duty cycle=1%) is 12A at TA=+25°C
- Maximum continuous body diode forward current is 1.1A at TA=+25°C
- Total power dissipation is 0.66W
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Tekniske spesifikasjoner
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.061ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
660mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.8A
Drain Source On State Resistance
0.09ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
Power Dissipation
660mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
-
Teknisk dokumentasjon (2)
Alternativer for DMG2302UK-7
3 produkter funnet
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000145
Produktsporbarhet