Skriv ut side
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
1 102 På Lager
3 000 Du kan reservere varen nå
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
Antall | |
---|---|
100+ | kr 3,770 |
500+ | kr 2,890 |
1500+ | kr 2,590 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 100
Flere: 5
kr 417,00 (eks. MVA)
En kr 40,00 re-reeling-kostnad vil påløpe for dette produktet
linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentDIODES INC.
Produsentens varenummerDMP4047LFDE-7
Varenummer2543555RL
Teknisk datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id3.3A
Drain Source On State Resistance0.033ohm
Transistor Case StyleUDFN2020
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation700mW
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktoversikt
DMP4047LFDE-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power-management applications. Typical applications include general-purpose interfacing switches, load switching and battery-management applications.
- 0.6mm profile – ideal for low profile applications, PCB footprint of 4mm²
- Low gate threshold voltage, low on-resistance
- Drain-source voltage is -40V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C
- Continuous drain current is -3.3A at TA = +25°C, steady state, VGS = -10V
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is -40A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.7W at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 33mohm max at VGS = -10V, ID = -4.4A, TA = +25°C
- U-DFN2020-6 (type E) package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.3A
Transistor Case Style
UDFN2020
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
700mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentasjon (2)
Tilknyttede produkter
2 produkter funnet
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.005
Produktsporbarhet