Skriv ut side
MMDT5551-7-F
Bipolar Transistor Array, Dual, Dual NPN, 160 V, 200 mA, 200 mW
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
101 544 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 5+ | kr 4,180 |
| 10+ | kr 2,580 |
| 100+ | kr 1,610 |
| 500+ | kr 1,120 |
| 1000+ | kr 0,976 |
| 5000+ | kr 0,696 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 5
Flere: 5
kr 20,90 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentDIODES INC.
Produsentens varenummerMMDT5551-7-F
Varenummer1773597
Teknisk datablad
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN160V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN200mA
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN200mW
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN80hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN300MHz
Transition Frequency PNP-
Product Range-
Qualification-
Produktoversikt
The MMDT5551-7-F is a dual NPN small signal surface-mount Bipolar Transistor Array offers 200mA continuous collector current and 180V collector-base voltage. It is ideal for medium power amplification and switching applications.
- UL94V-0 Flammability rating
- Epitaxial planar die construction
- Ultra-small surface-mount package
- Green device
- PNP complementary MMDT5401
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applikasjoner
Aerospace, Defence, Military, Power Management, Industrial
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske spesifikasjoner
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max NPN
160V
Continuous Collector Current NPN
200mA
Power Dissipation NPN
200mW
DC Current Gain hFE Min NPN
80hFE
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
300MHz
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentasjon (3)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000064
Produktsporbarhet