Skriv ut side
AUIRF4905STRL
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263AB, Surface Mount
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerAUIRF4905STRL
Varenummer2725788
ProduktsortimentHEXFET Series
Også kjent somSP001517998
Teknisk datablad
15 355 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
.
.
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
Tilgjengelig til lageret er tomt
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 68,300 |
| 10+ | kr 55,700 |
| 100+ | kr 46,400 |
| 500+ | kr 38,040 |
| 1000+ | kr 37,330 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 1
Flere: 1
kr 68,30 (eks. MVA)
linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerAUIRF4905STRL
Varenummer2725788
ProduktsortimentHEXFET Series
Også kjent somSP001517998
Teknisk datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id42A
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-263AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation170W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
QualificationAEC-Q101
Produktoversikt
Automotive grade HEXFET® power MOSFET specifically designed for automotive applications.
- Advanced planar technology
- P-channel MOSFET
- Low on-resistance
- Fast switching speed and ruggedized device design
- Repetitive avalanche allowed up to Taxa
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
42A
Transistor Case Style
TO-263AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
170W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentasjon (2)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Mexico
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Mexico
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.001