Skriv ut side
AUIRF7313QTR
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.023 ohm
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerAUIRF7313QTR
Varenummer2579949RL
ProduktsortimentHEXFET Series
Også kjent somSP001519208
Teknisk datablad
7 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
.
.
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 100+ | kr 18,450 |
| 500+ | kr 15,160 |
| 1000+ | kr 14,110 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 100
Flere: 1
kr 1 885,00 (eks. MVA)
En kr 40,00 re-reeling-kostnad vil påløpe for dette produktet
linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerAUIRF7313QTR
Varenummer2579949RL
ProduktsortimentHEXFET Series
Også kjent somSP001519208
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel6.9A
Continuous Drain Current Id P Channel6.9A
Drain Source On State Resistance N Channel0.023ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.023ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.4W
Power Dissipation P Channel2.4W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversikt
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
6.9A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.023ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.4W
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
6.9A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.023ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.4W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentasjon (3)
Tilknyttede produkter
4 produkter funnet
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.001
Produktsporbarhet