Skriv ut side
BSD840NH6327XTSA1
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerBSD840NH6327XTSA1
Varenummer2443479
Også kjent somBSD840N H6327, SP000917654
Teknisk datablad
70 025 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 5+ | kr 3,510 |
| 50+ | kr 2,330 |
| 250+ | kr 1,270 |
| 1000+ | kr 1,030 |
| 5000+ | kr 0,831 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 5
Flere: 5
kr 17,55 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerBSD840NH6327XTSA1
Varenummer2443479
Også kjent somBSD840N H6327, SP000917654
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel880mA
Continuous Drain Current Id P Channel880mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.27ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.27ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel500mW
Power Dissipation P Channel500mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversikt
The BSD840N H6327 is a N-channel Small Signal Transistor for DC-to-DC converters, eMobility, on-board charger and telecom applications.
- Enhancement-mode
- Avalanche rated
Applikasjoner
Industrial, Automotive, Motor Drive & Control, Consumer Electronics, Communications & Networking, Power Management
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
880mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.27ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
500mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
880mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.27ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentasjon (3)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000005