Skriv ut side
BSO604NS2XUMA1
Dual MOSFET, N Channel, 55 V, 55 V, 5 A, 5 A, 0.031 ohm
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerBSO604NS2XUMA1
Varenummer2725821RL
ProduktsortimentOptiMOS Series
Også kjent somBSO604NS2, SP000396268
Teknisk datablad
739 På Lager
Trenger du mer?
1–3 virkedagers levering
Bestilling før 17:00 standard forsendelse
Tilgjengelig til lageret er tomt
| Antall | |
|---|---|
| 100+ | kr 14,140 |
| 500+ | kr 10,990 |
| 1000+ | kr 9,900 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 100
Flere: 1
kr 1 454,00 (eks. MVA)
En kr 40,00 re-reeling-kostnad vil påløpe for dette produktet
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerBSO604NS2XUMA1
Varenummer2725821RL
ProduktsortimentOptiMOS Series
Også kjent somBSO604NS2, SP000396268
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel55V
Drain Source Voltage Vds P Channel55V
Continuous Drain Current Id N Channel5A
Continuous Drain Current Id P Channel5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.031ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.031ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS Series
QualificationAEC-Q101
Produktoversikt
- OptiMOS™ 2 power transistor
- Dual N-channel
- Enhancement mode
- Logic level
- 150°C operating temperature
- Avalanche rated
- dv/dt rated
- AEC qualified
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
55V
Continuous Drain Current Id P Channel
5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.031ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
OptiMOS Series
Drain Source Voltage Vds N Channel
55V
Continuous Drain Current Id N Channel
5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.031ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Teknisk dokumentasjon (3)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000265