Skriv ut side
FF2600UXTR33T2M1BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 720 A, 3.3 kV, 0.0031 ohm, Module
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerFF2600UXTR33T2M1BPSA1
Varenummer4574879
ProduktsortimentXHP 2 Series
Også kjent somFF2600UXTR33T2M1, SP005404848
Teknisk datablad
2 På Lager
Trenger du mer?
1–3 virkedagers levering
Bestilling før 17:00 standard forsendelse
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 63 537,000 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 63 537,00 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerFF2600UXTR33T2M1BPSA1
Varenummer4574879
ProduktsortimentXHP 2 Series
Også kjent somFF2600UXTR33T2M1, SP005404848
Teknisk datablad
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id720A
Drain Source Voltage Vds3.3kV
Drain Source On State Resistance0.0031ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins15Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max5.55V
Power Dissipation20mW
Operating Temperature Max175°C
Product RangeXHP 2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversikt
FF2600UXTR33T2M1BPSA1 is a 3.3KV, XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET half bridge module. Suitable for traction drives, high-power converters, high-frequency switching application applications.
- Electrical features: VDSS = 3300V, IDN = 750A / IDRM = 1500A, Tvj,op = 175°C
- Low switching losses, high current density, low inductive design
- Mechanical features: high power density, high creepage and clearance distances
- Package with CTI > 600, Rds(on) Test Voltage 15V
- AlSiC base plate for increased thermal cycling capability
- AlN substrate with low thermal resistance
- 3.1mohm drain-source on-resistance at ID = 750A, VGS = 15V, Tvj = 25°C
- 720A Continuous DC drain current at Tvj = 175°C, VGS = 15V, TC = 25°C
- 5.55V gate threshold voltage at ID = 675mA, VDS = VGS, Tvj = 25°C, (after 1ms pulse at VGS = +20V)
- 20mW max power dissipation at TNTC = 25°C
Tekniske spesifikasjoner
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
720A
Drain Source On State Resistance
0.0031ohm
No. of Pins
15Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.55V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
3.3kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
20mW
Product Range
XHP 2 Series
Teknisk dokumentasjon (1)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Germany
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Germany
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:3A228.c
EU ECCN:3A228.c
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000001
Produktsporbarhet