Skriv ut side
FF600R12KE4BOSA1
IGBT Module, Trench/Fieldstop, Dual [Half Bridge], 600 A, 1.75 V, 150 °C, Module
9 På Lager
Trenger du mer?
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 850,00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 1 874,000 |
| 5+ | kr 1 813,000 |
| 10+ | kr 1 752,000 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 1 874,00 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerFF600R12KE4BOSA1
Varenummer2803384
Produktsortiment62mm C
Også kjent somFF600R12KE4, SP001500368
Teknisk datablad
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current600A
Continuous Collector Current600A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationTab
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range62mm C
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversikt
62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT 4 and emitter controlled 4 diode suitable for use in high power converters, motor drives, UPS systems and wind turbines.
- Extended operating temperature Tvjop
- Low switching losses
- Low VCEsat
- Unbeatable robustness
- VCEsat with positive temperature coefficient
- 4KV AC1 min insulation
- Package with CTI <gt/> 400
- High Creepage and clearance distances
- High power density
- Isolated base plate
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske spesifikasjoner
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
DC Collector Current
600A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.75V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Tab
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
62mm C
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
600A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentasjon (1)
Tilknyttede produkter
1 produkt funnet
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Hungary
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Hungary
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000308
Produktsporbarhet