Skriv ut side
IGB070S10S1XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 38 A, 7000 µohm, 6.1 nC, TSON, Surface Mount
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerIGB070S10S1XTMA1
Varenummer4680813RL
Også kjent somIGB070S10S1, SP006039129
Teknisk datablad
3 845 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 100+ | kr 17,430 |
| 500+ | kr 14,600 |
| 1000+ | kr 13,190 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 100
Flere: 1
kr 1 783,00 (eks. MVA)
En kr 40,00 re-reeling-kostnad vil påløpe for dette produktet
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Tekniske spesifikasjoner
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
7000µohm
No. of Pins
4Pins
Continuous Drain Current Id
38A
Typical Gate Charge
6.1nC
Teknisk dokumentasjon (1)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.00001
Produktsporbarhet