Skriv ut side
IGLR65R200D2XUMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Surface Mount
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerIGLR65R200D2XUMA1
Varenummer4573840RL
Også kjent somIGLR65R200D2, SP005918715
Teknisk datablad
Tilgjengelig for bestilling
Kontakt meg når varen er tilbake på lager
| Antall | |
|---|---|
| 100+ | kr 15,170 |
| 500+ | kr 12,760 |
| 1000+ | kr 10,840 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 100
Flere: 1
kr 1 557,00 (eks. MVA)
En kr 40,00 re-reeling-kostnad vil påløpe for dette produktet
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerIGLR65R200D2XUMA1
Varenummer4573840RL
Også kjent somIGLR65R200D2, SP005918715
Teknisk datablad
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id9.2A
Drain Source On State Resistance0.24ohm
Typical Gate Charge1.26nC
No. of Pins8Pins
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniske spesifikasjoner
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.24ohm
No. of Pins
8Pins
Continuous Drain Current Id
9.2A
Typical Gate Charge
1.26nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentasjon (1)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Informasjon kommer
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000001
Produktsporbarhet