Skriv ut side
IGLT65R025D2AUMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 67 A, 0.03 ohm, 11 nC, HDSOP, Surface Mount
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerIGLT65R025D2AUMA1
Varenummer4573850RL
Også kjent somIGLT65R025D2, SP005934582
Teknisk datablad
Tilgjengelig for bestilling
Kontakt meg når varen er tilbake på lager
| Antall | |
|---|---|
| 10+ | kr 144,270 |
| 50+ | kr 129,100 |
| 100+ | kr 123,810 |
| 250+ | kr 117,830 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 10
Flere: 1
kr 1 482,70 (eks. MVA)
En kr 40,00 re-reeling-kostnad vil påløpe for dette produktet
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerIGLT65R025D2AUMA1
Varenummer4573850RL
Også kjent somIGLT65R025D2, SP005934582
Teknisk datablad
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id67A
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Typical Gate Charge11nC
No. of Pins16Pins
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniske spesifikasjoner
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
No. of Pins
16Pins
Continuous Drain Current Id
67A
Typical Gate Charge
11nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentasjon (1)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Informasjon kommer
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000001
Produktsporbarhet