Skriv ut side
IGLT65R110D2ATMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 15 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, HDSOP, Surface Mount
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerIGLT65R110D2ATMA1
Varenummer4573846RL
Også kjent somIGLT65R110D2, SP005934583
Teknisk datablad
1 300 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 100+ | kr 25,320 |
| 500+ | kr 22,490 |
| 1000+ | kr 18,490 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 100
Flere: 1
kr 2 572,00 (eks. MVA)
En kr 40,00 re-reeling-kostnad vil påløpe for dette produktet
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
Tekniske spesifikasjoner
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.14ohm
No. of Pins
16Pins
Continuous Drain Current Id
15A
Typical Gate Charge
2.4nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentasjon (1)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000001
Produktsporbarhet