Skriv ut side
IPB019N08N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 180 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerIPB019N08N3GATMA1
Varenummer1775520
Også kjent somIPB019N08N3 G, SP000444110
Teknisk datablad
419 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 46,550 |
| 10+ | kr 38,320 |
| 100+ | kr 34,210 |
| 500+ | kr 33,970 |
| 1000+ | kr 30,910 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 46,55 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerIPB019N08N3GATMA1
Varenummer1775520
Også kjent somIPB019N08N3 G, SP000444110
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id180A
Drain Source On State Resistance1900µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation300W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversikt
The IPB019N08N3 G is an OptiMOS™ 3 N-channel Power Transistor with superior thermal resistance, excellent gate charge x R DS (ON) product (FOM) and dual-sided cooling. Optimized technology for DC/DC converters.
- Excellent gate charge
- Very low on resistance
- 100% Avalanche tested
- Low parasitic inductance
- Halogen-free
Applikasjoner
Power Management, Consumer Electronics, Communications & Networking, Motor Drive & Control
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
180A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
1900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
7Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentasjon (3)
Alternativer for IPB019N08N3GATMA1
2 produkter funnet
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.002
Produktsporbarhet