Skriv ut side
IPB65R110CFDAATMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerIPB65R110CFDAATMA1
Varenummer2726046RL
ProduktsortimentCoolMOS CFDA
Også kjent somIPB65R110CFDA, SP000896402
Teknisk datablad
1 433 På Lager
Trenger du mer?
1–3 virkedagers levering
Bestilling før 17:00 standard forsendelse
| Antall | |
|---|---|
| 100+ | kr 34,950 |
| 500+ | kr 29,890 |
| 1000+ | kr 29,080 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 100
Flere: 1
kr 3 535,00 (eks. MVA)
En kr 40,00 re-reeling-kostnad vil påløpe for dette produktet
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerIPB65R110CFDAATMA1
Varenummer2726046RL
ProduktsortimentCoolMOS CFDA
Også kjent somIPB65R110CFDA, SP000896402
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id31.2A
Drain Source On State Resistance0.099ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation277.8mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFDA
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversikt
650V CoolMOS™ CFDA power transistor a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs.
- Designed according to the superjunction (SJ) principle
- Ultra-fast body diode
- Very high commutation ruggedness
- Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and EOSS
- Easy to use/drive
- Qualified according to AEC Q101
- Designed for switching applications
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
31.2A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
277.8mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.099ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CFDA
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentasjon (1)
Tilknyttede produkter
3 produkter funnet
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.002