Skriv ut side
IPD70R900P7SAUMA1
Power MOSFET, N Channel, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerIPD70R900P7SAUMA1
Varenummer2803397
ProduktsortimentCoolMOS P7
Også kjent somIPD70R900P7S, SP001491638
Teknisk datablad
1 378 På Lager
Trenger du mer?
1–3 virkedagers levering
Bestilling før 17:00 standard forsendelse
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 6,020 |
| 10+ | kr 5,040 |
| 100+ | kr 3,710 |
| 500+ | kr 3,180 |
| 1000+ | kr 2,840 |
| 5000+ | kr 2,430 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 1
Flere: 1
kr 6,02 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerIPD70R900P7SAUMA1
Varenummer2803397
ProduktsortimentCoolMOS P7
Også kjent somIPD70R900P7S, SP001491638
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds700V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.74ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation30.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P7
Qualification-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversikt
700V CoolMOS™ P7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle and recommended for Flyback topologies for example used in chargers, adapters, lighting applications, etc.
- Extremely low losses due to very low FOM Rds(on)*Qg and Rds(on)*Eoss
- Excellent thermal behaviour
- Integrated ESD protection diode
- Low switching losses (Eoss)
- Qualified for standard grade applications
- Cost competitive technology
- Lower temperature
- High ESD ruggedness
- Enables efficiency gains at higher switching frequencies
- Enables high power density designs and small form factors
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
30.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
700V
Drain Source On State Resistance
0.74ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P7
MSL
MSL 3 - 168 hours
Teknisk dokumentasjon (1)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000907
Produktsporbarhet