Skriv ut side
IPG20N06S2L65AATMA1
Dual MOSFET, N Channel, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.053 ohm
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerIPG20N06S2L65AATMA1
Varenummer2781207
ProduktsortimentOptiMOS Series
Også kjent somIPG20N06S2L-65A, SP001023844
Teknisk datablad
Tilgjengelig for bestilling
Produsentens standard leveringstid: 14 uke(r)
Kontakt meg når varen er tilbake på lager
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 7,860 |
| 10+ | kr 6,870 |
| 100+ | kr 5,700 |
| 500+ | kr 5,120 |
| 1000+ | kr 4,710 |
| 5000+ | kr 4,400 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 1
Flere: 1
kr 7,86 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerIPG20N06S2L65AATMA1
Varenummer2781207
ProduktsortimentOptiMOS Series
Også kjent somIPG20N06S2L-65A, SP001023844
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel55V
Drain Source Voltage Vds P Channel55V
Continuous Drain Current Id N Channel20A
Continuous Drain Current Id P Channel20A
Drain Source On State Resistance N Channel0.053ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.053ohm
Transistor Case StyleTDSON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel43W
Power Dissipation P Channel43W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS Series
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversikt
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
55V
Continuous Drain Current Id P Channel
20A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.053ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
43W
Product Range
OptiMOS Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
55V
Continuous Drain Current Id N Channel
20A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.053ohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation N Channel
43W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentasjon (2)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000177
Produktsporbarhet