Skriv ut side
IRFP064NPBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 98 A, 0.008 ohm, TO-247AC, Through Hole
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerIRFP064NPBF
Varenummer8649227
Også kjent somSP001554926
Teknisk datablad
91 652 På Lager
Trenger du mer?
1–3 virkedagers levering
Bestilling før 17:00 standard forsendelse
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 31,610 |
| 10+ | kr 24,830 |
| 100+ | kr 18,050 |
| 500+ | kr 10,780 |
| 1000+ | kr 10,560 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 31,61 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerIRFP064NPBF
Varenummer8649227
Også kjent somSP001554926
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id98A
Drain Source On State Resistance0.008ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversikt
The IRFP064NPBF is utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistant per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Dynamic dv/dt rating
- Fully avalanche rated
- Advanced process technology
- Ultra low on-resistance
- Fast switching
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
98A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.008ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Teknisk dokumentasjon (3)
Tilknyttede produkter
2 produkter funnet
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Mexico
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Mexico
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.007176