Skriv ut side
IRFP250NPBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Through Hole
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerIRFP250NPBF
Varenummer8649260
ProduktsortimentHEXFET Series
Også kjent somSP001554946
Teknisk datablad
3 934 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
.
.
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 39,020 |
| 10+ | kr 23,390 |
| 100+ | kr 20,920 |
| 500+ | kr 15,870 |
| 1000+ | kr 15,520 |
| 5000+ | kr 15,160 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 39,02 (eks. MVA)
linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerIRFP250NPBF
Varenummer8649260
ProduktsortimentHEXFET Series
Også kjent somSP001554946
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.075ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation214W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversikt
The IRFP250NPBF is 200V single N channel HEXFET power MOSFET in TO-247AC package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, ease of Paralleling, rugged, fast switching, simple drive requirements and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
- Drain to source voltage (Vds) of 200V
- Gate to source voltage of ±20V
- On resistance Rds(on) of 75mohm at Vgs 10V
- Power dissipation Pd of 214W at 25°C
- Continuous drain current Id of 30A at Vgs 10V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
214W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.075ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Teknisk dokumentasjon (3)
Alternativer for IRFP250NPBF
2 produkter funnet
Tilknyttede produkter
2 produkter funnet
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Mexico
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Mexico
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.007167
Produktsporbarhet