Skriv ut side
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerIRSM807-105MH
Varenummer2781306
ProduktsortimentCIPOS Nano
Også kjent somSP001543516
Teknisk datablad
1 270 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
Tilgjengelig til lageret er tomt
Antall | |
---|---|
1+ | kr 47,690 |
10+ | kr 37,800 |
25+ | kr 37,680 |
50+ | kr 34,620 |
100+ | kr 30,740 |
500+ | kr 26,850 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 47,69 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerIRSM807-105MH
Varenummer2781306
ProduktsortimentCIPOS Nano
Også kjent somSP001543516
Teknisk datablad
IPM Power DeviceMOSFET
Voltage Rating (Vces / Vdss)500V
Current Rating (Ic / Id)10A
Isolation Voltage1.5kV
IPM Case StyleQFN-EP
IPM SeriesCIPOS Nano
Product RangeCIPOS Nano
Produktoversikt
IRSM807-105MH is a half-bridge module designed for advanced appliances motor drive applications such as energy-efficient fans and pumps. IR's technology offers an extremely compact, high-performance half-bridge topology in an isolated package. This advanced IPM offers a combination of IR's low RDS(on) Trench FREDFET technology and the industry benchmark half-bridge high voltage, rugged driver in a small PQFN package. At only 8x9mm and featuring integrated bootstrap functionality, the compact footprint of this surface-mount package makes it suitable for applications that are space-constrained. IRSM807-105MH functions without a heat sink.
- Integrated gate drivers and bootstrap functionality
- Suitable for sinusoidal modulation applications
- Low RDS(on) Trench FREDFET
- Under-voltage lockout for both channels
- Matched propagation delay for all channels
- Optimized dV/dt for loss and EMI trade offs
- 3.3V input logic compatible
- Active high HIN and LIN, motor power range from 80 to 200W
- Isolation 1500VRMS minimum
- PQFN package, maximum operating junction temperature is 150°C
Tekniske spesifikasjoner
IPM Power Device
MOSFET
Current Rating (Ic / Id)
10A
IPM Case Style
QFN-EP
Product Range
CIPOS Nano
Voltage Rating (Vces / Vdss)
500V
Isolation Voltage
1.5kV
IPM Series
CIPOS Nano
Teknisk dokumentasjon (2)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85423911
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000256
Produktsporbarhet