Skriv ut side
IXDN75N120
IGBT Module, Single, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
Føres ikke lenger
Produktinformasjon
ProdusentIXYS SEMICONDUCTOR
Produsentens varenummerIXDN75N120
Varenummer3438369
Teknisk datablad
IGBT ConfigurationSingle
Transistor PolarityNPN
DC Collector Current150A
Continuous Collector Current150A
Collector Emitter Saturation Voltage2.2V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.2V
Power Dissipation Pd660W
Power Dissipation660W
Junction Temperature Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleSOT-227B
No. of Pins4Pins
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyNPT IGBT [Standard]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Tekniske spesifikasjoner
IGBT Configuration
Single
DC Collector Current
150A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.2V
Power Dissipation Pd
660W
Junction Temperature Tj Max
150°C
Operating Temperature Max
150°C
No. of Pins
4Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
150A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2.2V
Power Dissipation
660W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
SOT-227B
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
NPT IGBT [Standard]
Product Range
-
Teknisk dokumentasjon (2)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:South Korea
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:South Korea
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.004