Skriv ut side
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentIXYS SEMICONDUCTOR
Produsentens varenummerIXFN132N50P3
Varenummer2674760
ProduktsortimentPolar3 HiPerFET
Teknisk datablad
Føres ikke lenger
Produktinformasjon
ProdusentIXYS SEMICONDUCTOR
Produsentens varenummerIXFN132N50P3
Varenummer2674760
ProduktsortimentPolar3 HiPerFET
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id112A
Drain Source Voltage Vds500V
Drain Source On State Resistance0.039ohm
On Resistance Rds(on)0.039ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.5kW
Power Dissipation Pd1.5kW
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar3 HiPerFET
SVHCLead (17-Jan-2023)
Produktoversikt
Applikasjoner
Medical
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
112A
Drain Source On State Resistance
0.039ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.5kW
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
On Resistance Rds(on)
0.039ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
1.5kW
Product Range
Polar3 HiPerFET
Teknisk dokumentasjon (2)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:United States
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:United States
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Y-Ex
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2023)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.03
Produktsporbarhet