Skriv ut side
IXFN24N100
MOSFET Transistor, N Channel, 24 A, 1 kV, 0.39 ohm, 10 V, 5.5 V
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
193 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 509,950 |
| 5+ | kr 475,530 |
| 10+ | kr 440,160 |
| 50+ | kr 413,540 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 509,95 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentIXYS SEMICONDUCTOR
Produsentens varenummerIXFN24N100
Varenummer4905568
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id24A
Drain Source Voltage Vds1kV
Drain Source On State Resistance0.39ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleISOTOP
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Transistor MountingModule
Power Dissipation600W
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins3Pins
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Produktoversikt
The IXFN24N100 is a HiPerFET™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic diode.
- International standard package
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- UL94V-0 Flammability rating
- Low RDS (ON) HDMOS™ process
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Applikasjoner
Power Management, Industrial, Motor Drive & Control
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
Power Dissipation
600W
No. of Pins
3Pins
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Continuous Drain Current Id
24A
Drain Source On State Resistance
0.39ohm
Transistor Case Style
ISOTOP
Transistor Mounting
Module
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Teknisk dokumentasjon (2)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:United States
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:United States
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.04
Produktsporbarhet