Skriv ut side
IXTN210P10T
MOSFET Transistor, P Channel, 210 A, 100 V, 0.0075 ohm, 10 V, 4.5 V, SOT-227B
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentIXYS SEMICONDUCTOR
Produsentens varenummerIXTN210P10T
Varenummer3438414
ProduktsortimentTrenchP
Teknisk datablad
78 På Lager
460 Du kan reservere varen nå
1–3 virkedagers levering
Bestilling før 17:00 standard forsendelse
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 506,680 |
| 5+ | kr 473,500 |
| 10+ | kr 440,200 |
| 50+ | kr 393,090 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 506,68 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentIXYS SEMICONDUCTOR
Produsentens varenummerIXTN210P10T
Varenummer3438414
ProduktsortimentTrenchP
Teknisk datablad
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Continuous Drain Current Id210A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.0075ohm
On Resistance Rds(on)0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd830W
Power Dissipation830W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchP
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Produktoversikt
IXTN210P10T is a TrenchP™ power MOSFET. Suitable for high-side switching, push pull amplifiers, DC choppers, automatic test equipment, current regulators and battery charger applications.
- P-channel enhancement mode
- Avalanche rated and fast intrinsic rectifier
- International standard package
- Low intrinsic gate resistance
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Extended FBSOA and low RDS(ON) and QG
- Easy to mount, space savings and high power density
- 210A continuous drain current Id
- 100V drain source voltage Vds, 10V Rds(on) test voltage, 4.5V max gate source threshold voltage
- 0.0075ohm drain source on state resistance
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
210A
Drain Source On State Resistance
0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
830W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0075ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
830W
Product Range
TrenchP
Teknisk dokumentasjon (2)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:South Korea
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:South Korea
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.004
Produktsporbarhet