Skriv ut side
IXYH50N65C3D1
IGBT, 50 A, 2.1 V, 600 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
Produseres ikke lenger
Produktinformasjon
ProdusentIXYS SEMICONDUCTOR
Produsentens varenummerIXYH50N65C3D1
Varenummer2470020
Teknisk datablad
Continuous Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage2.1V
Power Dissipation600W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Tekniske spesifikasjoner
Continuous Collector Current
50A
Power Dissipation
600W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.1V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Teknisk dokumentasjon (3)
Tilknyttede produkter
2 produkter funnet
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:United States
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:United States
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Informasjon kommer
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.006