Skriv ut side
IXFN210N20P
MOSFET Transistor, N Channel, 188 A, 200 V, 0.00105 ohm, 10 V, 4.5 V
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
191 På Lager
Trenger du mer?
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 850,00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 478,590 |
| 5+ | kr 419,360 |
| 10+ | kr 360,140 |
| 50+ | kr 339,750 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 478,59 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentLITTELFUSE
Produsentens varenummerIXFN210N20P
Varenummer3930242
Teknisk datablad
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id188A
Drain Source Voltage Vds200V
Drain Source On State Resistance0.00105ohm
On Resistance Rds(on)0.00105ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation1.07kW
Power Dissipation Pd1.07kW
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Produktoversikt
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode. It Is suitable for use in DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC choppers, AC and DC motor drives, uninterruptible power supplies, high speed power switching applications.
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Low RDS(ON) and QG
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Tekniske spesifikasjoner
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
188A
Drain Source On State Resistance
0.00105ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.07kW
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.00105ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
1.07kW
Product Range
-
Teknisk dokumentasjon (2)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:South Korea
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:South Korea
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000001
Produktsporbarhet