Skriv ut side
IXTN660N04T4
MOSFET Transistor, N Channel, 660 A, 40 V, 850 µohm, 10 V, 4 V
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentLITTELFUSE
Produsentens varenummerIXTN660N04T4
Varenummer4060239
ProduktsortimentTrenchT4 Series
Teknisk datablad
Produseres ikke lenger
Produktinformasjon
ProdusentLITTELFUSE
Produsentens varenummerIXTN660N04T4
Varenummer4060239
ProduktsortimentTrenchT4 Series
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id660A
Drain Source Voltage Vds40V
Drain Source On State Resistance0.00085ohm
Transistor Case StyleSOT-227
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Transistor MountingModule
Power Dissipation1.04kW
Operating Temperature Max175°C
No. of Pins4Pins
Product RangeTrenchT4 Series
SVHCTo Be Advised
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Transistor Case Style
SOT-227
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
1.04kW
No. of Pins
4Pins
SVHC
To Be Advised
Continuous Drain Current Id
660A
Drain Source On State Resistance
0.00085ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Mounting
Module
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
TrenchT4 Series
Teknisk dokumentasjon (2)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:South Korea
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:South Korea
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Y-Ex
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.044452
Produktsporbarhet