Skriv ut side
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
Produseres ikke lenger
Produktinformasjon
ProdusentNEXPERIA
Produsentens varenummerGAN063-650WSAQ
Varenummer3106435
Teknisk datablad
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id34.5A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Typical Gate Charge15nC
Transistor Case StyleTP-247
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktoversikt
GAN063-650WSAQ is a 650V, 50mohm Gallium Nitride (GaN) FET. It is a normally-off device that combines Nexperia’s state-of-the-art high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFET technologies - offering superior reliability and performance. The applications include hard and soft switching converters for industrial and datacom power, bridgeless totempole PFC, PV, and UPS inverters, and servo motor drives.
- Ultra-low reverse recovery charge, simple gate drive (0 to +10/12V), robust gate oxide (±20V)
- High gate threshold voltage (+4V) for very good gate bounce immunity
- Very low source-drain voltage in reverse conduction mode, transient over-voltage capability (800V)
- Drain-source voltage is 650V max (55°C ≤ Tj ≤ 175°C)
- Drain current is 34.5A max (VGS = 10V; Tmb = 25°C), total power dissipation is 143W max (Tmb = 25°C)
- Drain-source on-state resistance is 50mohm typ (VGS = 10V; ID = 25A; Tj = 25°C)
- Gate-drain charge is 4nC typ (ID = 25A; VDS = 400V; VGS = 10V; Tj = 25°C)
- Total gate charge is 15nC typ (ID = 25A; VDS = 400V; VGS = 10V; Tj = 25°C)
- Recovered charge is 125nC typ (IS = 25A; dIS/dt = -1000A/µs; VGS = 0V; VDS = 400V)
- 3 leads SOT429 package, junction temperature range from -55 to 175°C
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske spesifikasjoner
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Case Style
TP-247
No. of Pins
3Pins
Qualification
AEC-Q101
Continuous Drain Current Id
34.5A
Typical Gate Charge
15nC
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Philippines
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Philippines
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.010433