Skriv ut side
GAN080-650EBEZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, Surface Mount
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
3 897 På Lager
Trenger du mer?
1–3 virkedagers levering
Bestilling før 17:00 standard forsendelse
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 73,920 |
| 5+ | kr 73,570 |
| 10+ | kr 73,230 |
| 50+ | kr 72,420 |
| 100+ | kr 68,740 |
| 250+ | kr 67,370 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 1
Flere: 1
kr 73,92 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentNEXPERIA
Produsentens varenummerGAN080-650EBEZ
Varenummer4198478
Teknisk datablad
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Typical Gate Charge6.2nC
Transistor Case StyleDFN8080
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniske spesifikasjoner
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Case Style
DFN8080
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
29A
Typical Gate Charge
6.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentasjon (1)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000012
Produktsporbarhet