Skriv ut side
GAN111-650WSBQ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Through Hole
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
251 På Lager
Trenger du mer?
1–3 virkedagers levering
Bestilling før 17:00 standard forsendelse
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 110,930 |
| 5+ | kr 106,680 |
| 10+ | kr 102,310 |
| 50+ | kr 86,910 |
| 100+ | kr 83,110 |
| 250+ | kr 79,210 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 1
Flere: 1
kr 110,93 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentNEXPERIA
Produsentens varenummerGAN111-650WSBQ
Varenummer4550980
Teknisk datablad
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.114ohm
Typical Gate Charge4.9nC
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniske spesifikasjoner
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.114ohm
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
21A
Typical Gate Charge
4.9nC
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentasjon (1)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Philippines
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Philippines
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.00001
Produktsporbarhet