Skriv ut side
GAN140-650FBEZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN5060, Surface Mount
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
336 På Lager
Trenger du mer?
1–3 virkedagers levering
Bestilling før 17:00 standard forsendelse
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 48,860 |
| 10+ | kr 45,640 |
| 100+ | kr 44,260 |
| 500+ | kr 42,760 |
| 1000+ | kr 40,580 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 1
Flere: 1
kr 48,86 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentNEXPERIA
Produsentens varenummerGAN140-650FBEZ
Varenummer4198479
Teknisk datablad
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source On State Resistance0.106ohm
Typical Gate Charge3.5nC
Transistor Case StyleDFN5060
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniske spesifikasjoner
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.106ohm
Transistor Case Style
DFN5060
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
17A
Typical Gate Charge
3.5nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentasjon (1)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000833
Produktsporbarhet