Skriv ut side
GAN190-650FBEZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN5060, Surface Mount
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
2 189 På Lager
Trenger du mer?
1–3 virkedagers levering
Bestilling før 17:00 standard forsendelse
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 32,190 |
| 10+ | kr 31,960 |
| 100+ | kr 31,380 |
| 500+ | kr 26,560 |
| 1000+ | kr 24,490 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 1
Flere: 1
kr 32,19 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentNEXPERIA
Produsentens varenummerGAN190-650FBEZ
Varenummer4198482
Teknisk datablad
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id11.5A
Drain Source On State Resistance0.138ohm
Typical Gate Charge2.8nC
Transistor Case StyleDFN5060
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniske spesifikasjoner
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.138ohm
Transistor Case Style
DFN5060
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
11.5A
Typical Gate Charge
2.8nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentasjon (1)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000833
Produktsporbarhet