Skriv ut side
NGFP15T65M3DFPQ
IGBT, 16 A, 1.51 V, 38 W, 650 V, TO-220FP, 3 Pins
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
Tilgjengelig for bestilling
registrer din interesse her
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 56,040 |
| 10+ | kr 36,890 |
| 100+ | kr 25,890 |
| 500+ | kr 25,300 |
| 1000+ | kr 24,830 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 56,04 (eks. MVA)
linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentNEXPERIA
Produsentens varenummerNGFP15T65M3DFPQ
Varenummer4745454
Teknisk datablad
Continuous Collector Current16A
Collector Emitter Saturation Voltage1.51V
Power Dissipation38W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-220FP
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produktoversikt
NGFP15T65M3DFPQ is a 650V, 15A trench field-stop IGBT with full rated silicon diode in a 3 pin TO-247 package. It is a robust Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuring third-generation technology. It combines carrier stored trench-gate and field-stop (FS) structures. The NGFP15T65M3DFP is rated to 175°C with optimized IGBT turn-off losses, and has a short-circuit withstand time of 5μs. This hard-switching 650V,15A IGBT is optimized for high-voltage, high-frequency industrial power inverter applications and servo motor drive applications.
- Low conduction and switching losses
- Stable and tight parameters for easy parallel operation
- Fully rated and fast reverse recovery diode
Tekniske spesifikasjoner
Continuous Collector Current
16A
Power Dissipation
38W
Transistor Case Style
TO-220FP
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.51V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Teknisk dokumentasjon (1)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Y-Ex
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.001