Skriv ut side
PMV37ENEAR
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 3.5 A, 0.049 ohm, TO-236AB, Surface Mount
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
8 154 På Lager
21 000 Du kan reservere varen nå
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 100+ | kr 1,370 |
| 500+ | kr 1,300 |
| 1500+ | kr 1,250 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 100
Flere: 5
kr 177,00 (eks. MVA)
En kr 40,00 re-reeling-kostnad vil påløpe for dette produktet
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentNEXPERIA
Produsentens varenummerPMV37ENEAR
Varenummer3212678RL
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id3.5A
Drain Source On State Resistance0.049ohm
On Resistance Rds(on)0.037ohm
Transistor Case StyleTO-236AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation710mW
Power Dissipation Pd710mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSL-
Produktoversikt
The PMV37ENEAR from NEXPERIA is a N Channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device plastic package using Trench MOSFET technology.
- Suitable for relay driver, high speed line driver, low-side load switch and switching circuits
- Logic-level compatible
- Trench MOSFET technology
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection <gt/>2 kV HBM (class H2)
- AEC-Q101 qualified
Applikasjoner
Medical
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.049ohm
Transistor Case Style
TO-236AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
710mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.5A
On Resistance Rds(on)
0.037ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation Pd
710mW
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
-
Teknisk dokumentasjon (2)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000006
Produktsporbarhet