Skriv ut side
AFT09MS007NT1
RF FET Transistor, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
240 På Lager
Trenger du mer?
1–3 virkedagers levering
Bestilling før 17:00 standard forsendelse
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 47,130 |
| 10+ | kr 35,750 |
| 100+ | kr 29,770 |
| 500+ | kr 27,360 |
| 1000+ | kr 24,830 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 1
Flere: 1
kr 47,13 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentNXP
Produsentens varenummerAFT09MS007NT1
Varenummer2776255
Teknisk datablad
Drain Source Voltage Vds30VDC
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation114W
Operating Frequency Min136MHz
Operating Frequency Max941MHz
Transistor Case StylePLD-1.5W
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktoversikt
AFT09MS007NT1 is a RF power LDMOS transistor designed for handheld two way radio applications with frequencies from 136 to 941MHz. The high gain, ruggedness and wideband performance of this device makes it ideal for large signal, common source amplifier applications in handheld radio equipment. Typical applications output stage VHF band handheld radio, output stage UHF band handheld radio, output stage for 700–800MHz handheld radio.
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Integrated ESD protection
- Integrated stability enhancements
- Wideband full power across the band
- Exceptional thermal performance
- Extreme ruggedness
- High linearity for: TETRA, SSB
Tekniske spesifikasjoner
Drain Source Voltage Vds
30VDC
Power Dissipation
114W
Operating Frequency Max
941MHz
No. of Pins
2Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
136MHz
Transistor Case Style
PLD-1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 3 - 168 hours
Teknisk dokumentasjon (3)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000858
Produktsporbarhet