Skriv ut side
MRF24G300HSR5
Gallium Nitride (GaN) Transistor, GaN, 125 V, NI-780S
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
Produktinformasjon
ProdusentNXP
Produsentens varenummerMRF24G300HSR5
Varenummer3280902RL
Teknisk datablad
Drain Source Voltage Vds125V
Continuous Drain Current Id-
Drain Source On State Resistance-
Typical Gate Charge-
Transistor Case StyleNI-780S
No. of Pins4Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Produktoversikt
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske spesifikasjoner
Drain Source Voltage Vds
125V
Drain Source On State Resistance
-
Transistor Case Style
NI-780S
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Continuous Drain Current Id
-
Typical Gate Charge
-
No. of Pins
4Pins
Qualification
-
Teknisk dokumentasjon (3)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.2
Produktsporbarhet