Skriv ut side
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
19 153 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
Antall | |
---|---|
1+ | kr 8,020 |
10+ | kr 4,440 |
25+ | kr 4,000 |
50+ | kr 3,550 |
100+ | kr 3,110 |
500+ | kr 3,050 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 8,02 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktoversikt
The 4N35S-M is a 6-pin general purpose Phototransistor Optocoupler consists of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor. It is suitable for digital logic inputs and microprocessor inputs.
- 850V Maximum working insulation voltage
- 6000V Highest allowable over-voltage
- -40 to +100°C Operating temperature range
Applikasjoner
Power Management, Industrial
Tekniske spesifikasjoner
No. of Channels
1 Channel
No. of Pins
6Pins
Isolation Voltage
7.5kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
SVHC
No SVHC (19-Jan-2021)
Optocoupler Case Style
Surface Mount DIP
Forward Current If Max
60mA
CTR Min
100%
Product Range
-
Teknisk dokumentasjon (1)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (19-Jan-2021)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.001123
Produktsporbarhet