Skriv ut side
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
87 930 På Lager
Trenger du mer?
1–3 virkedagers levering
Bestilling før 17:00 standard forsendelse
Antall | |
---|---|
5+ | kr 6,240 |
10+ | kr 4,330 |
100+ | kr 3,080 |
500+ | kr 2,240 |
1000+ | kr 1,890 |
5000+ | kr 1,350 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 5
Flere: 5
kr 31,20 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentONSEMI
Produsentens varenummerFDN352AP
Varenummer1467977
Teknisk datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.3A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktoversikt
The FDN352AP is a P-channel Logic Level MOSFET produced using advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss is needed in a very small outline surface mount package.
- High performance trench technology for extremely low RDS (ON)
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.3A
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Teknisk dokumentasjon (2)
Alternativer for FDN352AP
1 produkt funnet
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Philippines
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Philippines
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.003175
Produktsporbarhet