Skriv ut side
Produktinformasjon
ProdusentONSEMI
Produsentens varenummerFDPF4N60NZ
Varenummer3616167
ProduktsortimentUniFET II
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id3.8A
Drain Source On State Resistance1.9ohm
Transistor Case StyleTO-220F
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation28W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeUniFET II
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.8A
Transistor Case Style
TO-220F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
28W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
1.9ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
UniFET II
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Teknisk dokumentasjon (2)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Y-Ex
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.1